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设在一个二元化合物晶体中,A、X两种原子的构成比为X:A=n:m,化学式以AmXn,表示。响应的点阵浓度比值为rL=[X]/[A]=n/m。现实晶体中,常常是X:A与n:m不等。如许的化合物被称为非等计量比化合物,它的构成表达式为AmXn(1+δ)。δ是一个很小的正值或负值。形成非等计量比的原因是存在漏洞原子或离子跟原子或离子空位缺点或缺点簇。缺点簇是缺点以某种方法缔合而成,如Koch簇、 Bevan簇、Wllis簇等。
从非等计量比化合物构成的非等计量性可分为以下多少种：
(1)MY1-x型,x为一个小的分数,即缺负离子的非等计量比化合物
(2)M1-xY,即缺正离子的非等计量比化合物
(3)M1+xY型,即多了一些正离子的漏洞型非等计量比化合物
(4)MY1-2xY,2x或M1-2xM,2xY,即存在正或负离子调换的非等计量比化合物
非等计量比化合物的特点
非等计量比化合物中的点缺点或缺点簇相互感化使空位或漏洞原子在晶体中的陈列趋于超晶格有序化,构成各种超晶格相。
非等计量比化合物还可构成晶体学剪切构造(CS构造)。CS结构造含有很多CS面,CS面两侧晶体构造雷同,为剪切滑移关联,CS面内构造与两侧构造差别,因素差别,因此CS面的数量影响化学计量比。
非等计量比化合物少数为氧化物、硫属化合物跟卤化合物等。晶体构造则多属CaF2型、NaCl型、TiO2型、ZnS(闪锌矿)型、NiAs型、 CaTiO3型、CaWO4(白钨矿)型等。这些范例的化合物中,都是阴离子作最周到堆积,阳离子充填其中的孔隙。在晶体生长过程中,阳离子多面体畸变,使负离子数量绝对增加,从而构成非等计量比化合物。
非等计量比化合物的化学性质与等计量比化合物差别不大年夜,但某些物感性质有大年夜的差别,如SnO2构成偏离化学计量比时由绝缘体变为半导体,导电性与偏离化学计量比的程度成正比。