最佳答案
发射区渗杂浓度高,当发射结正偏时,其多数载流子空穴向基区扩散,形成发射极电流,其方向与电子流方向相反。
此时虽然基区的多子电子也要向射区扩散,但基区掺杂浓度低,与电子流相比可以忽略,扩散到基区的空穴只有少数与基区的电子复合,而复合掉的空穴由接到基区的负电源拉走空穴所䃼充,形成基极电流。
集电结反偏所产生的内电场吸引电子流继续向集电极做漂移运动,形成集电极电流。
发射区渗杂浓度高,当发射结正偏时,其多数载流子空穴向基区扩散,形成发射极电流,其方向与电子流方向相反。
此时虽然基区的多子电子也要向射区扩散,但基区掺杂浓度低,与电子流相比可以忽略,扩散到基区的空穴只有少数与基区的电子复合,而复合掉的空穴由接到基区的负电源拉走空穴所䃼充,形成基极电流。
集电结反偏所产生的内电场吸引电子流继续向集电极做漂移运动,形成集电极电流。