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ESD（静电放电）对电子元器件的破坏主要包括以下几个方面：
瞬间电压过高：静电放电产生的瞬间电压可能高达几千伏，远超出电子元器件的承受范围。这种电压可能导致元器件的绝缘层击穿，甚至引起元器件内部结构的损坏。
瞬间电流过大：静电放电产生的瞬间电流可能达到几十安培，这比电子元器件的额定电流大得多。过大的电流可能导致元器件的导线或连接器焊点融化，线路板软化、变形或烧坏。
电压偏移：静电放电可能导致元器件内部电势的瞬间偏移，这可能导致元器件的数字信号或模拟信号失真，或者导致元器件的输出电压偏移。
磁场干扰：静电放电会产生强烈的磁场，这可能对元器件的内部电路和磁性材料产生干扰，导致元器件失效或寿命缩短。
在受静电损伤的电子元器件中，突发性失效约占失效总数的10%。很强的静电场会导致MOS场效应器件的栅氧化层被击穿，使电子元器件失效。即便是致密无针孔的高质量氧化层，也会在100 V的静电电压下被击穿。对于有保护措施的电路，虽然击穿电压可能高于100 V，但危险静电源的电压可能是几千伏，甚至上万伏。因此，高压静电场的击穿效应仍然是MOS电路的一大危害。另外，高压静电场也可能使多层布线电路间介质击穿或金属化导线间介质击穿，造成电路失效。