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在半導體範疇，根據導電機能的差別，可能將半導體分為多少個差其余代數。這種分類對懂得跟利用半導體材料存在重要意思。 半導體代數的分別重要基於其電子能帶構造。第一代半導體以硅（Si）為代表，是迄今為止利用最廣泛的一類半導體。硅的導電機能介於導體跟絕緣體之間，其禁帶寬度約為1.1電子伏特，實用於少數電子器件。 第二代半導體以砷化鎵（GaAs）為代表，存在更窄的禁帶寬度，約為1.43電子伏特。這使得砷化鎵在高頻、高速電子器件範疇存在上風，比方在雷達跟衛星通信中。 第三代半導體包含氮化鎵（GaN）跟碳化硅（SiC）等，它們的禁帶寬度更寬，分辨為3.4跟2.8電子伏特。寬禁帶半導體存在更高的熱導率、電場強度跟輻射硬度，實用於高溫、高壓跟高功率的任務情況。 每一代半導體的特點不只取決於其禁帶寬度，還包含其余要素，如電子遷移率、熱導率跟化學牢固性。以硅為例，固然其遷移率較低，但其成熟的加工工藝跟牢固性使其在集成電路中佔據主導地位。 總結來說，半導體的代數分類反應了其內涵的電子能帶構造跟物感機能，這對計劃新型電子器件跟體系至關重要。跟著科技的進步，我們有來由信賴，將來還會有更多存在獨特點能的新一代半導體材料被開收返來，推動電子技巧向更高程度開展。