設在一個二元化合物晶體中,A、X兩種原子的構成比為X:A=n:m,化學式以AmXn,表示。響應的點陣濃度比值為rL=[X]/[A]=n/m。現實晶體中,常常是X:A與n:m不等。如許的化合物被稱為非等計量比化合物,它的構成表達式為AmXn(1+δ)。δ是一個很小的正值或負值。形成非等計量比的原因是存在漏洞原子或離子跟原子或離子空位缺點或缺點簇。缺點簇是缺點以某種方法締合而成,如Koch簇、 Bevan簇、Wllis簇等。
從非等計量比化合物構成的非等計量性可分為以下多少種：
(1)MY1-x型,x為一個小的分數,即缺負離子的非等計量比化合物
(2)M1-xY,即缺正離子的非等計量比化合物
(3)M1+xY型,即多了一些正離子的漏洞型非等計量比化合物
(4)MY1-2xY,2x或M1-2xM,2xY,即存在正或負離子調換的非等計量比化合物
非等計量比化合物的特點
非等計量比化合物中的點缺點或缺點簇相互感化使空位或漏洞原子在晶體中的陳列趨於超晶格有序化,構成各種超晶格相。
非等計量比化合物還可構成晶體學剪切構造(CS構造)。CS結構造含有很多CS面,CS面兩側晶體構造雷同,為剪切滑移關係,CS面內構造與兩側構造差別,因素差別,因此CS面的數量影響化學計量比。
非等計量比化合物少數為氧化物、硫屬化合物跟鹵化合物等。晶體構造則多屬CaF2型、NaCl型、TiO2型、ZnS(閃鋅礦)型、NiAs型、 CaTiO3型、CaWO4(白鎢礦)型等。這些範例的化合物中,都是陰離子作最周到堆積,陽離子充填其中的孔隙。在晶體生長過程中,陽離子多面體畸變,使負離子數量絕對增加,從而構成非等計量比化合物。
非等計量比化合物的化學性質與等計量比化合物差別不大年夜,但某些物感性質有大年夜的差別,如SnO2構成偏離化學計量比時由絕緣體變為半導體,導電性與偏離化學計量比的程度成正比。