基本知識
存儲單位範例
固態硬盤（SSD）是基於閃存的數據存儲設備。每個比特都存儲在存儲單位中，而存儲單位分為三類：每個單位1比特（單層單位，SLC），每個單位2比特（多層單位，MLC），每個單位3比特（三層單位，TLC）。SLC單位存在較長的壽命跟較高的機能，但本錢較高；而TLC單位本錢低，但機能跟壽命較低。
壽命限制
每個單位都有P/E（寫/擦）輪回的最大年夜限制，在此之後存儲單位被認為是破壞的。這表示NAND閃存曾經消耗殆盡，並有一個壽命限制。對SSD來說，懂得其P/E輪回限制對編程至關重要，因為它影響到數據的寫入戰略。
基準測試
基準測試很難。測試者是人，因此並不是全部的基準測試都毫無漏洞。在讀出產商或許第三方的基準測試成果的時間請警惕，並在信賴這些數據之前利用多個來源的數據。在有可能的時間，利用你的體系特定的任務負載在你打算利用的SSD型號上，運轉本人的外部基準測試。最後，着眼於與你的體系最相幹的機能指標。
頁跟塊
NAND閃存頁跟塊
閃存單位構造成為陣列，稱為塊，而塊構造成為面。塊中可能停止讀寫操縱的最小單位是頁。頁不克不及獨破擦除，只能整塊擦除。NAND閃存頁的大小並不一致，大年夜少數硬盤的頁大小是2KB、4KB、8 KB 或16 KB。大年夜少數SSD每個塊有128或256個頁。
讀是頁對齊的
一次讀取少於一頁是弗成能的。固然，這並不是說SSD不克不及讀取小於一個頁的數據，而是說在讀取時，它平日會讀取一個完全的頁，然後再前去懇求的數據。
C言語編程技能
文件打開方法的抉擇
當利用fopen()函數來創建或打開文件時，應指定合適的形式參數。對尋求高效力的數據寫入操縱而言，wb是一個不錯的抉擇，因為它容許以二進制情勢讀取跟追加數據到現有文件中而不必先清空它。
FILE *fp;
if ((fp = fopen("test.bin", "wb")) == NULL) {
perror("File opening failed");
return (-1);
}
緩衝區大小設置
恰當增大年夜緩衝區尺寸有助於增加磁盤I/O次數從而進步效力。可能經由過程設定較大年夜的外部緩存或許利用POSIX標準下的setvbuf()接口自定義外部緩衝戰略來達成此目標。
char buffer[BUFFERSIZE];
setvbuf(fp, buffer, IOFBF, BUFFERSIZE);
數據傳輸單位調劑
盡管按照SSD閃存頁（Page）大小（平日是4KB~16KB之間變更）整數倍來停止持續性的批量寫入舉措，如許可能有效降落擦除周期（Erase Cycle），進而晉升團體吞吐量表示。
char buffer[4096]; // 假設SSD的頁大小為4KB
size_t bytes_written;
while ((bytes_written = fread(buffer, 1, sizeof(buffer), fp)) > 0) {
fwrite(buffer, 1, bytes_written, stdout);
}
非梗阻式I/O模型利用
採用異步告訴機制（如Linux情況里的epoll()）或是多線程技巧處理並發懇求，可讓利用順序不必等待以後義務實現績能持續履行其他任務項，終極加快團體機能。
// 示例：利用epoll實現非梗阻I/O
int epoll_fd = epoll_create1(0);
struct epoll_event event;
event.events = EPOLLIN | EPOLLOUT;
event.data.fd = fd;
epoll_ctl(epoll_fd, EPOLL_CTL_ADD, fd, &event);
經由過程以上編程技能，妳可能在C言語中輕鬆地掌控固態硬盤的存儲奧秘，實現高效的文件讀寫操縱。