最佳答案
發射區滲雜濃度高,當發射結正偏時,其少數載流子空穴向基區分散,構成發射極電流,其偏向與電子流偏向相反。
此時固然基區的多子電子也要向射區分散,但基區摻雜濃度低,與電子流比擬可能忽視,分散到基區的空穴只有少數與基區的電子複合,而複合掉落的空穴由接到基區的負電源拉走空穴所䃼充,構成基極電流。
集電結反偏所產生的內電場吸引電子流持續向集電極做漂移活動,構成集電極電流。
發射區滲雜濃度高,當發射結正偏時,其少數載流子空穴向基區分散,構成發射極電流,其偏向與電子流偏向相反。
此時固然基區的多子電子也要向射區分散,但基區摻雜濃度低,與電子流比擬可能忽視,分散到基區的空穴只有少數與基區的電子複合,而複合掉落的空穴由接到基區的負電源拉走空穴所䃼充,構成基極電流。
集電結反偏所產生的內電場吸引電子流持續向集電極做漂移活動,構成集電極電流。