最佳答案
經由過程公式打算,MOS管本身的功率:
P=VDS*ID,VDS=ID*Rds,Rds是MOS管得導通電阻,可能經由過程檢查晶元手冊得悉RDS。MOS管的最大年夜功耗取決於管子容許的溫升,最好功耗斷定後,便可在管子的輸出特點曲線上畫出臨界最大年夜功耗線。
MOS的功耗是指MOS在電路利用中的消耗,比方導通消耗,開關消耗等,固然計劃及利用的時間這個值一定是遠小於MOS管的Pd。
經由過程公式打算,MOS管本身的功率:
P=VDS*ID,VDS=ID*Rds,Rds是MOS管得導通電阻,可能經由過程檢查晶元手冊得悉RDS。MOS管的最大年夜功耗取決於管子容許的溫升,最好功耗斷定後,便可在管子的輸出特點曲線上畫出臨界最大年夜功耗線。
MOS的功耗是指MOS在電路利用中的消耗,比方導通消耗,開關消耗等,固然計劃及利用的時間這個值一定是遠小於MOS管的Pd。